用反差确定电子束曝光剂量与刻蚀深度的关系
Determining relationship between electron-beam dose and etching depth by empirical formula of contrast作者机构：山东大学控制学院电子束研究所 东营职业学院山东东营257091
出 版 物：《强激光与粒子束》 (High Power Laser and Particle Beams)
年 卷 期：2007年第19卷第8期
页 面：1377-1380页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家863计划项目资助课题
摘 要：为了精确地确定电子束曝光剂量与刻蚀深度间的关系，根据抗蚀剂的灵敏度曲线，采用反差经验公式来确定剂量与刻蚀深度间的关系。选用正性抗蚀剂PMMA进行曝光实验，将计算值进行曲线拟合，得到的关系曲线与实验结果基本相符。当剂量在20-35μC／cm^2。间时，实验值与计算值间的差值最小，说明当剂量在此范围内时该方法能够更加精确地确定剂量与刻蚀深度间的关系。采用该方法节省了实验时间，提高了刻蚀效率。
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