量子效应和小型化对隧穿晶体管特性的影响

作     者：姚成军 黄大鸣 施道航 焦广泛 YAO Chengjun;HUANG Daming;SHI Daohang;JIAO Guangfan

作者机构：复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2013年第43卷第2期

页      面：292-295页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：隧穿场效应晶体管 量子效应 可靠性 

摘      要：基于二维器件仿真工具,研究了量子效应和小型化对双栅隧穿场效应晶体管的特性和可靠性的影响。隧穿晶体管中的量子效应除了带间隧穿,还包括量子统计效应和垂直沟道方向的量子限制效应。研究表明,量子统计效应和量子限制效应对隧穿晶体管的电流电压特性,特别是正偏压温度不稳定性(PBTI)是非常重要的。另外,随着沟道长度和体硅厚度的缩小,隧穿晶体管的电流电压特性和可靠性都得到了改善,但在保持相同等效氧化层厚度的情况下,使用高介电常数的栅介质不会改善器件的电流电压特性及可靠性。