光化学氧化对多孔硅稳定性及SO_2传感性能影响

作     者：黎学明 王力春 杨建春 LI Xue-Ming;WANG Li-Chun;YANG Jian-Chun

作者机构：重庆大学化学化工学院重庆400044 教育部光电技术及系统重点实验室 

出 版 物：《应用化学》 (Chinese Journal of Applied Chemistry)

年 卷 期：2007年第24卷第5期

页      面：512-516页

核心收录：

学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 070304[理学-物理化学(含∶化学物理)] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 

基　　金：国家自然科学基金(20007006)资助项目 

主　　题：SO2 多孔硅 光致发光 

摘      要：采用光化学氧化方法对多孔硅进行后处理,获得具有良好稳定性的氧化多孔硅;采用SEM、AFM、FT-IR进行表征;通过SO2传感实验,评价其光致发光谱的变化。结果表明,采用电化学阳极氧化制备的新鲜多孔硅在空气中稳定性较差,SEM图表明其膜层分布有120×40μm的长方形小块,光化学氧化后使该长方形小块进一步分裂变细;AFM图表明,新鲜制备的多孔硅经稳定化处理后,表面硅柱宽度由700～750 nm变为300～350 nm,高度由50～58 nm变为40 nm;出现Si—O键(1 114 cm-1)和OSi—H键(2 249 cm-1)的振动峰;该氧化多孔硅在SO2介质中呈可逆的荧光猝灭特征,荧光峰的位置不随SO2浓度变化而发生移动,稳定性较好。