光电耦合器二次塑封工艺的实验结果分析与理论研究

作     者：李李 肖雪芳 兰玉平 LI Li;XIAO Xuefang;LAN Yuping

作者机构：厦门理工学院光电与通信工程学院福建厦门361024 厦门华联电子股份有限公司福建厦门361008 

出 版 物：《东莞理工学院学报》 (Journal of Dongguan University of Technology)

年 卷 期：2024年第31卷第5期

页      面：68-75页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：福建省自然科学基金(2021J05267) 

主　　题：光电耦合器 封装分层 点胶 回流焊 等离子清洗 

摘      要：针对二次塑封工艺对光电耦合器性能影响的研究尚不完善的问题,对MSL1级环境下的二次塑封的光耦封装效果进行实验和有限元仿真研究。利用超声扫描显微镜等实验设备,对回流焊、内点胶、环氧塑封料和等离子清洗四种工艺下光电耦合器塑封器件的分层情况进行分析,测试电流传输比,并对环氧塑封料应力参数对分层的影响进行研究,从而优化二次塑封封装工艺条件。研究结果表明回流焊峰值温度设置在Tp=245℃到Tp=250℃可以改善分层问题,芯片胶高在0.4 mm以上及0.3 mm以下会造成光耦严重的分层,采用热应力参数相匹配的塑封料和在二次塑封前增加等离子清洗工艺,清洗功率设置为300 W,清洗时间为15 s,是改善光耦封装分层的有效措施。