单晶铌低温剪切带形成与演化的透射电镜研究

作     者：李习耀 刘皓岚 翟晓玉 王江伟 

作者机构：河南省科学院材料研究所 浙江大学材料科学与工程学院硅及先进半导体材料全国重点实验室电子显微镜中心 

出 版 物：《电子显微学报》 (Journal of Chinese Electron Microscopy Society)

年 卷 期：2024年第05期

页      面：557-563页

学科分类：08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 080502[工学-材料学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No.52071284) 河南省科技研发联合基金资助项目(No.225200810058) 

主　　题：铌 低温剪切带 塑性失稳 应力骤降 界面位错 

摘      要：作为高度局域化变形的重要塑性载体，低温剪切带通常会导致材料塑性失稳。研究其形成与演化机制对材料低温服役可靠性具有重要意义。本文对不同取向单晶铌的低温剪切带行为展开系统探究。研究表明，位错在不同滑移面的局域化活动导致了{110}或{112}剪切带的形成，并使材料宏观上表现出低温塑性失稳特征，其力学曲线表现出应力骤降的塑性流变行为。随着剪切带持续增厚，其界面处集聚的位错密度也随之升高，使剪切带-基体取向差逐渐增大；当增厚到微米尺寸后，剪切带界面位错所能协调的两侧晶体取向差趋于饱和。这些结果为发展低温剪切带演化动力学模型提供了实验参照。