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铁电PLZT薄膜退火工艺的研究

Study on Annealing Technique of Ferroelectric PLzT Series Thin Films

作     者:胡用时 卢德新 李佐宜 

作者机构:华中理工大学固体电子学系 

出 版 物:《压电与声光》 (Piezoelectrics & Acoustooptics)

年 卷 期:1994年第16卷第6期

页      面:35-38页

核心收录:

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

主  题:铁电薄膜 退火工艺 性能 薄膜 工艺 

摘      要:在无氧气氛下,采用射频磁控溅射法制备了PLzT系列薄膜,对原位溅射薄膜进行了快速退火及常规退火处理,深入研究了退火工艺对铁电薄膜结构与性能的影响。认为采用常规退火工艺处理无氧溅射的薄膜时,铁电薄膜具有更好的晶体结构和铁电性能。

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