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高海拔环境下压接式半导体器件的外绝缘特性

External Insulation Characteristics of Press-Pack Semiconductor Devices Under High-Altitude Environment

作     者:任成林 鲁翔 闫旭阳 孙帮新 程周强 谢文杰 Ren Chenglin;Lu Xiang;Yan Xuyang;Sun Bangxin;Cheng Zhouqiang;Xie Wenjie

作者机构:中国南方电网有限责任公司超高压输电公司广州510620 特变电工新疆新能源股份有限公司西安710000 

出 版 物:《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期:2024年第49卷第10期

页      面:946-952页

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0808[工学-电气工程] 080803[工学-高电压与绝缘技术] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

基  金:国家重点研发计划资助项目(2021YFB507004) 

主  题:压接式半导体 高海拔 外绝缘 间隙放电 海拔修正系数 

摘      要:压接式半导体器件作为柔性直流输电工程中的核心器件,对电网系统的稳定性和可靠性具有重要意义。目前,关于压接式半导体器件在高海拔环境下外绝缘特性的研究尚且不足,针对市场上主流半导体器件厂家的器件开展外绝缘试验,研究不同海拔环境下半导体器件在不同电压类型下的间隙放电特性和在不同湿度下的沿面绝缘特性。在人工气候罐中模拟的2000、3800和4500 m高海拔环境下,对5种器件进行了雷电冲击电压试验、操作冲击电压试验、直流电压试验及60%、70%和80%湿度下人工污秽试验。试验结果表明,研究的5种器件均能满足3种海拔下的外绝缘要求,且设计裕度均大于17.6%;同时根据试验数据计算出海拔修正系数,对高海拔环境下空气间隙修正具有指导意义。

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