蓬探1井区灯二段底水气藏水侵机理

作     者：李娟 汪周华 欧家强 李钊名 杨洋 吴金川 李松岑 LI Juan;WANG Zhou-hua;OU Jia-qiang;LI Zhao-ming;YANG Yang;WU Jin-chuan;LI Song-cen

作者机构：中国石油天然气股份有限公司西南油气田分公司川中北部采气管理处遂宁629000 西南石油大学油气藏地质及开发工程国家重点实验室成都610500 

出 版 物：《科学技术与工程》 (Science Technology and Engineering)

年 卷 期：2024年第24卷第23期

页      面：9729-9736页

学科分类：0820[工学-石油与天然气工程] 081803[工学-地质工程] 08[工学] 0818[工学-地质资源与地质工程] 082002[工学-油气田开发工程] 

基　　金：国家科技重大专项(2016ZX05015002) 

主　　题：底水气藏 水平井 合理配产 避水高度 水平段长度 

摘      要：蓬探1井区灯二段气藏属于典型的超深层碳酸盐岩底水气藏,水侵是影响气藏开发效果的重要问题。目前气藏处于开发早期评价阶段,对气藏水侵机理认识模糊,制约了气藏开发技术政策的制定。基于气藏现有动静态资料,利用数值模拟手段建立不同开发区单井机理模型,开展水侵模式预判、水侵动态主控因素分析。研究表明,蓬探1井区不同类型储层隔夹层发育,隔夹层遮挡作用显著,水侵模式总体表现为水锥型与水脊型;配产比与避水高度分别是影响两类开发区水侵程度与开发效果的主控因素;对水侵机理认识为蓬探1井区开发技术政策制订提供了技术支撑。