脉冲激光沉积法制备Ga掺杂ZnO薄膜结构、光学和电学性能研究

作     者：周同 杨晓漫 刘亲壮 ZHOU Tong;YANG Xiaoman;LIU Qinzhuang

作者机构：淮北师范大学物理与电子信息学院安徽淮北235000 

出 版 物：《淮北师范大学学报（自然科学版）》 (Journal of Huaibei Normal University：Natural Sciences)

年 卷 期：2024年第45卷第3期

页      面：23-29页

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金项目(11974127) 安徽省自然科学基金项目(2008085MA19) 淮北师范大学研究生创新基金项目(CX2023039) 

主　　题：脉冲激光沉积 Ga_(x)Zn_(1-x)O薄膜 电学性能 X射线衍射 

摘      要：为探究掺杂含量及薄膜厚度对Ga_(x)Zn_(1-x)O薄膜各性能的影响,利用脉冲激光沉积法在MgO衬底上制备一系列Ga_(x)Zn_(1-x)O薄膜。X射线衍射结果表明,所有薄膜均沿z轴择优生长,结晶质量和透光率随掺杂含量的增加而降低。Ga掺杂含量为3%的薄膜获得最佳电学性能。薄膜结晶质量随厚度增加而提高,在250 nm获得最低电阻率1.34×10^(-4)Ω·cm和最高迁移率26.48 cm^(2)/Vs。3%组分不同厚度的薄膜可见光范围内光透过率均高于80%。Ga_(x)Zn_(1-x)O薄膜是替代传统铟锡氧化物的良好候选材料。