涂层导体DyBiO_3(DBO)缓冲层的低温制备

作     者：孙瑞萍 李果 蒲明华 王文涛 赵勇 

作者机构：西南交通大学材料先进技术教育部重点实验室四川成都610031 

出 版 物：《稀有金属材料与工程》 (Rare Metal Materials and Engineering)

年 卷 期：2009年第38卷第5期

页      面：901-904页

核心收录：

学科分类：080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 0806[工学-冶金工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(50672078) 国家杰出青年基金(50588201) 国家973项目(2007CB616906) 

主　　题：涂层导体 DyBiO3缓冲层 低温成相 

摘      要：通过685～750℃之间进行低温成相，在LaAlO3（LAO）单晶基底上沉积得到了有较大应用前景的涂层导体DyBiO3（DBO）缓冲层。结果表明：所得的缓冲层C轴取向良好，致密、平整、无裂纹。当温度大于750℃时，DBO表面开始变得粗糙。沉积在DBO缓冲层上的YBCO超导层C轴织构的样品，样品表面平整均匀，超导转变温度在90K左右，临界电流密度大于1MA／cm^2。从工业应用角度讲，低温的缓冲层制备具有极大的经济优势，应用前景更为广泛。