MOCVD原位红外测温方法的比较研究

作     者：杨超普 方文卿 刘明宝 周春生 张美丽 Yang Chaopu;Fang Wenqing;Liu Mingbao;Zhou Chunsheng;Zhang Meili

作者机构：商洛学院化学工程与现代材料学院陕西商洛726000 陕西省尾矿资源综合利用重点实验室陕西商洛726000 南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心江西南昌330047 

出 版 物：《应用光学》 (Journal of Applied Optics)

年 卷 期：2016年第37卷第2期

页      面：297-302页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家863高科技研究发展计划资助项目(2011AA03A101) 陕西省尾矿资源综合利用重点实验室开放基金项目(2014SKY-WK012) 

主　　题：MOCVD 原位监测 红外测温 比较研究 

摘      要：MOCVD原位红外测温方法主要有单色辐射测温法与双波长比色测温法。利用薄膜等厚干涉模型与Kirchhoff定律计算了Si(111)衬底生长10μm GaN外延片的940nm、1 550nm光谱发射率,以Thomas Swan CSS MOCVD为例,比较了500℃至1 300℃范围内,940nm单色辐射测温法、1 550nm单色辐射测温法、940nm与1 550nm双波长比色测温法的相对误差和相对灵敏度,以及单色辐射测温法与双波长比色测温法的校准修正,并利用940nm与1 550nm双波长比色测温法在线监测了Si(111)衬底生长InGaN/GaN MQW结构LED外延片过程中的温度。研究表明:940nm与1 550nm双波长比色测温法在相对误差及有效探测孔径修正校准上优于940nm单色辐射测温法和1 550nm单色辐射测温法,该结论可为MOCVD原位红外测温设备开发提供参考。