ZnCdTe-ZnTe多量子阱的谱线增宽
Spectrum line broadening in ZnCdTe-ZnTe multiple quantum well作者机构：空军气象学院南京211101 中国科学院长春物理研究所长春130021
出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)
年 卷 期：1999年第20卷第6期
页 面：413-415页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：通过对Ｚｎ ｘＣｄ１ － ｘＴｅ－ ＺｎＴｅ 多量子阱的光致发光研究，讨论了该材料的谱线增宽效应。指出材料阱层的组分涨落是激子谱线非均匀增宽的主要来源，而由流体力学性质决定的涨落，在组分张落中起着非常重要的作用。
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