掺杂Cu的AgSbTe四元合金电学性能

作     者：付红 应鹏展 颜艳明 张晓军 高榆岚 FU Hong;YING Pengzhan;YAN Yanming;ZHANG Xiaojun;GAO Yulan

作者机构：中国矿业大学江苏徐州221116 

出 版 物：《兵器材料科学与工程》 (Ordnance Material Science and Engineering)

年 卷 期：2011年第34卷第2期

页      面：4-7页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金资助(50871056) 

主　　题：AgSbTe合金 掺杂Cu 微观结构 电学性能 

摘      要：AgSbTe基合金具有良好的热学和电学性能,在发电和制冷领域获得广泛应用。通过放电等离子烧结技术制备（AgSbTe2）0.405（Sb2-xCuxTe3）0.064（x=0,0.025,0.05,0.1,0.2）5种合金,观察其微观结构,并研究316~548 K温度区间内电学性能的变化。结果表明,x=0和x=0.025两种样品形成单相,其他3种样品都形成AgSbTe2和Sb2Te多相。掺杂不同比例的Cu元素后,各样品的功率因子都比掺杂前有不同程度的降低,当x=0.2时,样品的电学性能下降最明显。