MOCVD生长GaN中带尾和激子发光特性研究
PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES OF BAND TAIL AND EXCITON ON GaN GROWN BY MOCVD作者机构：中国科学院长春物理研究所
出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)
年 卷 期：1998年第19卷第3期
页 面：263-266页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学]
摘 要：采用低压ＭＯＣＶＤ生长技术制备ＧａＮ，对其界面附近的发光特性及其温度行为进行了研究．实验表明界面附近ＧａＮ的发光呈一宽带发射．并对叠加于宽带发射上的尖锐发光峰及其温度行为进行了讨论．
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