电场下GaAs/G_(a1-x)Al_xA_s量子阱中的激子

作     者：唐道华 Tang Dao - hua Department of Physics, Lingling Teacher’s College

出 版 物：《零陵学院学报》 (Journal of Lingling University)

年 卷 期：1989年第12卷第3期

页      面：18-26页

学科分类：040106[教育学-高等教育学] 0401[教育学-教育学] 04[教育学] 

主　　题：激子结合能 电场变化 空穴子带 激子峰 重空穴 量子阱 GaAs 重叠函数 有效质量 能子 

摘      要：本文利用有限势垒（左、右垒高不等）模型,研究了电场对GaAs/Ga1-xA1xAs量阱中各子带所对应的激子之影响.采用级数展法开求得于带所对应的电子——空穴重叠函数.通过变分计算得到激子结合能.对阱宽为105（?）的GaAs/Ga0.66A10.34As量子阱,电场由0至1.2×105V/cm,我们计算了（电子和空穴的）子带对应的激子之结合能.基于上述计算结果,所得激子峰的能移与实验测量符合得较好,体现出有限势阱模型比无限势阱模型好得多.