新型表面波等离子体源的诊断及不同工艺条件下的等离子体特性

作     者：徐均琪 上坂裕之 梅原德次 刁东风 Xu Junqi;Kousaka Hiroyuki;Umehara Noritsugu;Diao Dongfeng

作者机构：西安工业大学光电工程学院 名古屋大学大学院工学研究科 西安交通大学西安710049 

出 版 物：《真空科学与技术学报》 (Chinese Journal of Vacuum Science and Technology)

年 卷 期：2006年第26卷第3期

页      面：214-218页

学科分类：070207[理学-光学] 07[理学] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

主　　题：表面波等离子体 工艺参数 电子密度 类金刚石薄膜 

摘      要：表面波等离子体(Surface-wave-sustained plasma,SWP)是近年发展起来的一种新型低压、高密度等离子体。应用这种技术,很容易实现镀膜过程中的离子束辅助沉积(IBAD),从而制备出性能优异的类金刚石薄膜(DLC)。本文介绍了一种新型的SWP源,说明了朗缪尔探针等离子体诊断的基本原理,研究了微波功率、靶电压、真空度等对等离子体特性的影响。测试了不同工艺条件下的等离子体密度,电子温度,等离子体电位,悬浮电位。研究结果表明,微波功率、靶电压和真空度等参数对等离子体特性具有重要的影响。结果同时表明,这种表面波等离子体源即使在0.85 Pa的真空度下也能够产生高达1.87×1011cm-3的电子密度(在2.8 Pa可达2.1×1012cm-3)。