全耗尽型浮空埋层LDMOS的耐压特性
Breakdown Voltage Characteristics of LDMOS with a Full Depletion Floating Buried Layer作者机构：电子科技大学IC设计中心成都610054
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：2008年第29卷第2期
页 面：344-347页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：模拟集成电路国家重点实验室基金(9140C0903010604) 国家自然科学基金(批准号:60576052)资助项目~~
主 题：LDMOS 全耗尽型浮空埋层 RESURF REBULF 击穿电压
摘 要：提出了一种新的全耗尽型浮空埋层LDMOS(FB-LDMOS)结构.全耗尽n型埋层在器件的体内产生新的电场,该电场调制了漂移区电场,使得在降低漂移区漏端电场的同时提高了源侧和中部电场REBULF效应.分析了埋层的浓度、厚度、长度等对器件击穿电压的影响.借助二维仿真软件MEDICI,该新结构的击穿电压由传统LDMOS的585.8V提高到886.9V,提高了51.4%.
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