器件级同质外延CVD金刚石膜上的具有高击穿电压的铝肖特基二极管(英文)

作     者：寺地德之 入江正丈 远藤城一 木村谦一 王春蕾 伊藤利道 T.Teraji;M.Irie;S.Endo;K.Kimura;WANG Chun－lei;T.Ito

作者机构：大阪大学工学部电气工学科 

出 版 物：《功能材料与器件学报》 (Journal of Functional Materials and Devices)

年 卷 期：2001年第7卷第3期

页      面：293-296页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：" Research for the Future" program (No.96R15401) from the Japan Society for Promotion of Science 

主　　题：击穿电压 铝肖特基二极管 CVD金刚石膜 同质外延 

摘      要：用微波等离子体化学气相沉积方法合成高品质同质外延金刚石膜， 并且用扫描电镜和阴 极荧光分析法评价。为了得到高薄膜生长速率， 把甲烷浓度设定在 4％。薄膜上的生长丘的数 量和大小依赖于生长条件。在本工作的样品中 ,未发现任何非外延晶粒。室温下的阴极荧光分 光结果表明这些金刚石薄膜具有与自由励起子相关的谱峰。氢终端的膜表面制作的铝电极显 示了 P型整流特性 ,击穿电压高于 380V。实验结果表明，阴极荧光分析法观测到的缺陷和电性 能密切相关，并且可以在有室温边发射的金刚石表面上制作具有高击穿电压的整流电极。