钛酸钡纳米管阵列薄膜的合成及性能研究

作     者：廖昕星 邓湘云 王黎明 刘鹏伟 李建保 LIAO Xinxing;DENG Xiangyun;WANG Liming;LIU Pengwei;LI Jianbao;Key Laboratory of Ministry of Education for Application Technology of Chemical Materials in Hainan Superior Resources, Hainan Provincial Key Laboratory of Research on Utilization of Si-Zr-Ti Resources,Materials and Chemical Engineering Institute, Hainan University;College of Physics and Electronic Information, Tianjin Normal University;Department of Materials Science and Engineering, Tsinghua University

作者机构：海南大学材料与化工学院海南优势资源化工材料应用技术教育部重点实验室硅锆钛资源综合开发与利用海南省重点实验室海口570228 天津师范大学物理与电子信息学院天津300387 清华大学材料科学与工程学院北京100084 

出 版 物：《中国陶瓷》 (China Ceramics)

年 卷 期：2014年第50卷第3期

页      面：8-11,15页

学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2007AA03Z524) 国家自然科学基金资助项目(50872093) 海南大学科研基金资助项目(Hjkj-2010-11) 

主　　题：钛酸钡 纳米管阵列薄膜 水热合成 表观形貌 介电性能 

摘      要：以阳极氧化法制备的TiO2纳米管阵列为模板,结合水热法制备了钛酸钡纳米管阵列薄膜。研究了水热反应温度、反应时间对BaTiO3纳米管阵列薄膜表观形貌及电学性能的影响。样品经X射线衍射仪表征其晶体结构;扫描电子显微镜观察其微观形貌;以及使用宽频介电阻抗谱仪测试了样品的介电性能。结果表明,在较低的水热温度下即可制得单一立方相的BaTiO3纳米管阵列薄膜,纳米管壁厚约30 nm,薄膜厚度可达10μm;水热反应温度的升高和反应时间的延长有助于样品的结晶度完善和介电性能的提高;未经热处理的薄膜样品在1 KHz介电常数可达200。