基于MOCVD生长的高Al组分Al_xGa_(1-x)N的HRXRD研究

作     者：杜阳 李培咸 周小伟 白俊春 Du Yang;Li Peixian;Zhou Xiaowei;Bai Junchun

作者机构：西安电子科技大学技术物理学院陕西西安710071 西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071 

出 版 物：《电子科技》 (Electronic Science and Technology)

年 卷 期：2009年第22卷第5期

页      面：69-71,77页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：MOCVD AlxGa1-xN HRXRD 位错 晶格常数 

摘      要：通过MOCVD设备,在c面蓝宝石衬底上异质外延了不同Al组分含量的AlxGa1-xN材料,生长过程中采用了低温缓冲层技术、脉冲原子外延技术(PALE)和多层超晶格缓冲技术,例如AlGaN/AlNSLs结构,成功得到了表面光滑无裂纹的AlxGa1-xN膜。并且通过HRXRD对材料进行了多个晶面方向上的摇摆曲线和2θ～ω表征测试,在此测试基础上对材料的Al组分、a轴和c轴的晶格常数以及位错密度进行了相应的计算,并定性的分析了材料的应变状态。