提高镀金管座键合强度的局部蒸镍技术
Localization Nickelage Technique of Vacuum Deposition for Bonding Strength of Goldplating Sockets作者机构:华东师范大学电子系上海200062
出 版 物:《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)
年 卷 期:1993年第10卷第12期
页 面:40-42,39页
学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学]
摘 要:采用局部定域的蒸镍技术能较大幅度地提高镀金层质量差的管座的超声键合强度,使键合强度高于中国军标和美军军标所规定的指标.