500℃下利用UHV/CVD在Si衬底上直接生长近平面Si_(0.5)Ge_(0.5)层(英文)

作     者：赵雷 左玉华 李传波 成步文 罗丽萍 余金中 王启明 ZHAO Lei;ZUO Yu-hua;LI Chuan-bo;CHENG Bu-wen;LUO Li-ping;YU Jin-zhong;WANG Qi-ming

作者机构：中国科学院半导体研究所集成光电国家重点实验室北京100083 

出 版 物：《功能材料与器件学报》 (Journal of Functional Materials and Devices)

年 卷 期：2006年第12卷第1期

页      面：5-9页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：NationalScienceFoundationofChina(No.60336010 No.90401001)and973Programs(No.TG2000036603) 

主　　题：UHV/CVD 拉曼测量 光荧光 Si0.5Ge0.5 

摘      要：利用UHV/CVD系统,在一个相对较低的温度500℃下,研究了Si1-xGex层中的Ge含量与生长条件之间的关系,此时的Si1-xGex层处于一种亚稳的状态。并直接在Si衬底上生长制备了10个周期的3.0 nm-Si0.5Ge0.5/3.4 nm-Si多量子阱。拉曼谱、高分辨显微电镜和光荧光谱对其结构和光学性能进行的表征表明这种相对较厚的Si0.5Ge0.5/Si多量子阱结构基本上仍是近平面生长的,内部没有位错,其在电学和光学器件上具有潜在的应用。