V-Ga共掺TiO_2光伏电池模拟与研究

作     者：肖永跃 高云 黄忠兵 XIAO Yongyue;GAO Yun;HUANG Zhongbing

作者机构：湖北大学物理学与电子技术学院湖北武汉430062 湖北大学材料科学与工程学院湖北武汉430062 

出 版 物：《湖北大学学报（自然科学版）》 (Journal of Hubei University：Natural Science)

年 卷 期：2013年第35卷第2期

页      面：168-172页

学科分类：081705[工学-工业催化] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 

基　　金：教育部科学技术研究重点项目(211108) 武汉市科技攻关项目(201110821251) 湖北省科技厅研究与开发计划(2011BAB032)资助 

主　　题：AMPS-1D pin光伏电池 V-Ga共掺TiO2 光伏特性 

摘      要：基于实验上获得的带隙宽度为1.6eV的V-Ga共掺杂TiO2材料,设计了一种新型pin结构光伏电池.通过Nb:TiO2作为n型重掺杂层,Cu2O或CuO作为p型掺杂层,建立pn结自建电场.中间层V-Ga:TiO2为主要光吸收层,运用AMPS-1D软件模拟器件性能,研究Cu2O或CuO材料作为p型层对光伏性能的影响.模拟结果显示,Cu2O在这种结构中适合作为p型层,优化后器件光伏转化效率可达到34%.此外,通过对材料中带尾缺陷密度、吸收层与p型层界面对器件性能影响的研究,为器件制备中可能存在的问题提供解决思路.