V-Ga共掺TiO_2光伏电池模拟与研究
V-Ga co-doped TiO_2 photovoltaic cell simulation and research作者机构:湖北大学物理学与电子技术学院湖北武汉430062 湖北大学材料科学与工程学院湖北武汉430062
出 版 物:《湖北大学学报(自然科学版)》 (Journal of Hubei University:Natural Science)
年 卷 期:2013年第35卷第2期
页 面:168-172页
学科分类:081705[工学-工业催化] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术]
基 金:教育部科学技术研究重点项目(211108) 武汉市科技攻关项目(201110821251) 湖北省科技厅研究与开发计划(2011BAB032)资助
主 题:AMPS-1D pin光伏电池 V-Ga共掺TiO2 光伏特性
摘 要:基于实验上获得的带隙宽度为1.6eV的V-Ga共掺杂TiO2材料,设计了一种新型pin结构光伏电池.通过Nb:TiO2作为n型重掺杂层,Cu2O或CuO作为p型掺杂层,建立pn结自建电场.中间层V-Ga:TiO2为主要光吸收层,运用AMPS-1D软件模拟器件性能,研究Cu2O或CuO材料作为p型层对光伏性能的影响.模拟结果显示,Cu2O在这种结构中适合作为p型层,优化后器件光伏转化效率可达到34%.此外,通过对材料中带尾缺陷密度、吸收层与p型层界面对器件性能影响的研究,为器件制备中可能存在的问题提供解决思路.