一维二氧化硅纳米材料紫外吸收光谱理论研究

作     者：许莹 徐灿 Xu Ying;Xu Can

作者机构：中国民航大学基础实验中心天津300300 兰州大学物理科学与技术学院兰州730000 

出 版 物：《价值工程》 (Value Engineering)

年 卷 期：2011年第30卷第6期

页      面：88-89页

学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 070304[理学-物理化学(含∶化学物理)] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 

基　　金：中央高校基本科研业务费。课题名称:硬组织植入物的等离子体界面设计基础研究 编号:ZXH2010D021 

主　　题：SiO2纳米材料 紫外吸收光谱 羟基 含时密度泛函 

摘      要：运用含时密度泛函B3LYP方法6-31G(d)基组水平上,计算了二氧化硅一维纳米材料单链(1NL)、双链(2NL)以及含羟基单链(1NLW)、双链(2NLW)与尺寸相关的电子吸收光谱,并从电子结构和态密度角度对其进行分析。无羟基结构的紫外吸收光谱较强峰的频率随尺寸减小红移,含羟基结构随尺寸减小明显蓝移。分析表明羟基上的H与Si相互作用使分子未占据轨道能量明显升高,造成结构吸收光谱随尺寸变小蓝移,羟基的加成可以改变二氧化硅纳米结构的光学性质。紫外吸收光谱研究以及对羟基作用的确定对SiO2纳米材料的深入研究具有指导意义。