SnO_2(110)表面特性的密度泛函计算
Property Calculation of SnO_2(110) Crystal Plane by Density Function作者机构：大连交通大学电气信息学院辽宁大连116028
出 版 物：《大连交通大学学报》 (Journal of Dalian Jiaotong University)
年 卷 期：2008年第29卷第4期
页 面：96-100页
学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学]
摘 要：根据密度泛函理论,采用广义密度近似和总体能量平面波赝势方法,计算了SnO2体结构,氧化(110)面,还原(110)面的结构及电子特性.计算结果发现,SnO2(110)表面结构发生了明显变形,还原(110)面驰豫情况类似氧化(110)面,氧空缺未对表面结构产生明显影响.氧化(110)面和还原(110)面电子态密度同体材料有较大不同,SnO2(110)的电导行为主要受氧空缺在禁带中引入的表面电子态的控制.
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