InAs／InP_（0．7）Sb_（0．3）热电子晶体管的电流增益及最高收集极电压
Current Gain and Maximum Collector Voltage of InAs/InP_(0.7)Sb_(0.3) HET作者机构：中国科学院半导体研究所
出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)
年 卷 期：1995年第15卷第1期
页 面：41-44页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：分析ＩｎＡｓ／ＩｎＰ（０．７）Ｓｂ（０．３）热电子晶体管的电流增益β及最高收集极电压Ｖ（ＣＭ）。计算结果表明，β超过２０，Ｖ（ＣＭ）接近１．５Ｖ。
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