GaAs PHEMT材料电子迁移率的非接触测试

作     者：张培凤 崔琦 Zhang Peifeng;Cui Qi

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2014年第39卷第6期

页      面：459-463页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：迁移率 电子浓度 非接触迁移率测试 分层测试 迁移率谱 

摘      要：非接触迁移率测试是一种测试载流子浓度以及迁移率的新型方法,与传统的范德堡霍尔测试相比,具有无损测量和分层测试等诸多优点。分别采用传统的范德堡霍尔测试法和新型的非接触迁移率测试法对不同帽层厚度、不同掺杂浓度的GaAs PHEMT样品进行测试分析。结果表明,在盖帽层很薄的情况下,两种测试方法所测得的电子浓度以及迁移率一致,而在盖帽层较厚的情况下,由于受盖帽层重掺杂电子的影响,范德堡霍尔测试无法测得沟道内二维电子气(2DEG)浓度和迁移率,而非接触式迁移率测试法可以将盖帽层和沟道层分开,准确地测得沟道内2DEG浓度和迁移率。