改进碲镉汞液相外延方法原位生长正组分梯度薄膜材料

作     者：霍勤 韩红强 张诚 焦翠灵 王仍 毛铖铭 陆液 陈心恬 乔辉 李向阳 HUO Qin;HAN Hong-Qiang;ZHANG Cheng;JIAO Cui-Ling;WANG Reng;MAO Cheng-Ming;LU Ye;CHEN Xin-Tian;QIAO Hui;LI Xiang-Yang

作者机构：中国科学院上海技术物理研究所上海200083 

出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)

年 卷 期：2024年第43卷第3期

页      面：305-313页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金国家重大科研仪器研制项目(12227901) 

主　　题：碲镉汞 液相外延 组分梯度 二次离子质谱 

摘      要：研究了液相外延生长条件对碲镉汞薄膜材料组分梯度的影响,建立了指导液相外延生长的理论模型。通过改变水平推舟液相外延工艺的汞损失速率,生长出具有正组分梯度的碲镉汞薄膜材料。针对这种特定条件下生长的碲镉汞外延薄膜,通过腐蚀减薄光谱测试与二次离子质谱测试证实了材料具有正组分梯度结构。与传统方法生长的具有负组分梯度的碲镉汞薄膜相比,这种薄膜材料具有相近的表面形貌与红外透射光谱曲线,且具有较高的晶体质量,其X射线衍射双晶摇摆曲线半峰宽达到28.8 arcsec。