动态高温反偏应力下的SiC MOSFET测试平台及其退化机理研究

作     者：左璐巍 辛振 蒙慧 周泽 余彬 罗皓泽 ZUO Luwei;XIN Zhen;MENG Hui;ZHOU Ze;YU Bin;LUO Haoze

作者机构：河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室天津300401 浙江大学电气工程学院杭州310058 南京信息工程大学自动化学院南京210044 中国电源学会 

出 版 物：《电源学报》 (Journal of Power Supply)

年 卷 期：2024年第22卷第3期

页      面：211-219页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：动态高温反偏测试 退化机理 SiC MOSFET 可调dV_(ds)/dt 

摘      要：为研究SiC MOSFET在动态漏源应力下的退化机理,开发了一种具有dVds/dt可调功能、最高可达80 V/ns的动态反向偏置测试平台。针对商用SiC MOSFET进行动态高温反偏实验,讨论高电压变化率的动态漏源应力对SiC MOSFET电学特性的影响。实验结果显示,器件的阈值电压和体二极管正向导通电压增加,说明器件JFET区上方的栅氧层和体二极管可能发生了退化。通过Sentaurus TCAD分析了在高漏源电压及高电压变化率下平面栅型SiC MOSFET的薄弱位置,在栅氧层交界处和体二极管区域设置了空穴陷阱,模拟动态高温反偏对SiC MOSFET动静态参数的影响。