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光刻工艺的特征参数及其影响因素分析

Characteristic Parameters and Influencing Factors of Photolithography Process

作     者:文青山 黄华佑 杨丹 李运泉 WEN Qingshan;HUANG Huayou;YANG Dan;LI Yunquan

作者机构:广东省特种设备检测研究院顺德检测院广东佛山528000 

出 版 物:《信息记录材料》 (Information Recording Materials)

年 卷 期:2024年第25卷第5期

页      面:4-6,9页

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

基  金:超净高纯化学试剂分离纯化及其应用研究(2024QT-2-01) 半导体晶圆全自动涂胶显影系统研制(2024QT-2-02) 

主  题:光刻胶 光刻工艺 工艺参数 

摘      要:光刻胶是半导体制造中关键的材料,用于光刻工艺中转移图案到硅片。随着微电子工艺的发展、曝光光源的不断进步和器件尺寸的缩小,光刻胶的性能指标正在不断提高,以满足更高的分辨率、灵敏度以及更低的线边粗糙度等工艺要求。本文探讨了光刻胶的工艺特征参数及其影响因素,并提出了光刻胶的未来展望。

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