一种注入增强型快速SOI-LIGBT新结构研究

作     者：黄磊 李健根 陆泽灼 俞齐声 陈文锁 HUANG Lei;LI Jiangen;LU Zezhuo;YU Qisheng;CHEN Wensuo

作者机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 重庆大学电气工程学院重庆400044 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2024年第54卷第2期

页      面：277-281页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：集成电路与微系统全国重点实验室基金资助项目(6142802200510) 国家重点研发计划资助项目(2018YFB2100100) 重庆市自然科学基金资助项目(cstc2020jcyj-msxmX0572) 中央高校基本科研业务费资助项目(2020CDJ-LHZZ-076) 

主　　题：SOI 横向绝缘栅双极型晶体管 快速关断 拖尾电流 正向饱和电压 

摘      要：薄顶层硅SOI(Silicon on Insulator)横向绝缘栅双极型晶体管(Lateral Insulated-Gate Bipolar Transistor, LIGBT)的正向饱和电压较高,引入旨在减小关断态拖尾电流的集电极短路结构后,正向饱和电压进一步增大。提出了一种注入增强型(Injection Enhancement, IE)快速LIGBT新结构器件(F-IE-LIGBT),并对其工作机理进行了理论分析和模拟仿真验证。该新结构F-IE-LIGBT器件整体构建在薄顶层硅SOI衬底材料上,其集电极采用注入增强结构和电势控制结构设计。器件及电路联合模拟仿真说明:新结构F-IE-LIGBT器件在获得较小正向饱和电压的同时,减小了关断拖尾电流,实现了快速关断特性。新结构F-IE-LIGBT器件非常适用于SOI基高压功率集成电路。