增强型p⁃GaN栅HEMT器件的抗辐照性能研究

作     者：胡壮壮 王登贵 李雪 周建军 孔月婵 陈堂胜 HU Zhuangzhuang;WANG Denggui;LI Xue;ZHOU Jianjun;KONG Yuechan;CHEN Tangsheng

作者机构：固态微波器件与电路全国重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2024年第44卷第3期

页      面：201-205页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金青年科学基金资助项目(62104218) 

主　　题：p⁃GaN栅HEMT器件 总剂量效应 单粒子效应 

摘      要：为研究应用于宇航领域增强型GaN HEMT器件的抗辐照性能,制备了导通电流为20 A、击穿电压为345 V的增强型p-GaN栅HEMT器件,并分别研究了器件抗总剂量效应能力与抗单粒子效应能力。实验结果表明,研制的增强型p-GaN栅HEMT器件在辐照剂量率为1.55 rad(Si)/s、累积总剂量为300 krad(Si)的条件下,器件的阈值电压保持不变,同时器件在传能线密度为37.3 MeV/(mg·cm^(2))的离子辐照下,仍然实现了大于300 V的击穿电压。表明研制的增强型p-GaN栅HEMT器件具有良好的抗辐照能力。