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磁控溅射法制备钛镓锌氧化物透明导电膜的介电和光电性能研究

The dielectric and opto-electronic properties of titanium-gallium-zinc oxide transparent conducting films prepared by magnetron-sputtering method

作     者:陆轴 郭声彦 谢泉 LU Zhou;GUO Shengyan;XIE Quan

作者机构:贵州师范学院物理与电子科学学院贵阳550018 贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州大学人武学院贵阳550025 

出 版 物:《中南民族大学学报(自然科学版)》 (Journal of South-Central University for Nationalities:Natural Science Edition)

年 卷 期:2024年第43卷第4期

页      面:561-566页

学科分类:08[工学] 080502[工学-材料学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 

基  金:贵州省科学技术基金资助项目(黔科合基础1248) 

主  题:透明导电膜 氧化锌 介电常数 光电性能 

摘      要:采用磁控溅射技术制备了钛镓锌氧化物(TiGaZnO)透明导电膜,研究了衬底温度对薄膜样品介电、光电和结构性能的影响.结果表明:所制备的薄膜样品均为(002)择优取向的六角纤锌矿结构,并且衬底温度对薄膜性能具有明显的影响.当衬底温度为610 K时所制备的TiGaZnO薄膜具有较优的光电性能和结晶质量,对应的品质因数为1.23×10^(4)Ω^(-1)∙cm^(-1)、平均可见光透过率为86.85%、电阻率为5.76×10^(-4)Ω∙cm、平均晶粒尺寸为83.42 nm.另外,利用光谱拟合方法得到了TiGaZnO薄膜的光学常数,进一步研究了衬底温度对薄膜光学性质和介电性能的影响.结果表明TiGaZnO薄膜的折射率、介电常数和耗散系数均依赖于衬底温度.

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