900～1200MHz高线性LNA电路设计
Design of a 900-1200 MHz Low Noise Amplifier with High Linearity作者机构：重庆西南集成电路设计有限责任公司重庆400060
出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)
年 卷 期：2012年第42卷第5期
页 面：609-612页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：提出了一种新颖的900～1 200MHz高线性低噪声放大器的拓扑结构,介绍了电路版图的设计方法。电路采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺制作。测试结果显示,设计的高线性低噪声放大器增益为16.4dB,噪声系数为2.5dB,输入1dB压缩点为-6.0dBm,功耗为50mW(电源电压为5V),尺寸为720μm×950μm。
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