硅纳米线的固-液-固热生长及升温特性研究

作     者：邢英杰 奚中和 俞大鹏 杭青岭 严涵斐 冯孙齐 薛增泉 

作者机构：北京大学电子学系北京100871 北京大学物理系北京100871 

出 版 物：《电子与信息学报》 (Journal of Electronics & Information Technology)

年 卷 期：2003年第25卷第2期

页      面：259-262页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(No.60071015) 

主　　题：硅纳米线 SLS生长机制 升温特性 一维纳米材料 制备方法 

摘      要：该文报道一种直接在硅片上热生长硅纳米线的新方法.与传统的VLS生长机制不同,该方法在生长硅纳米线的过程中没有引入任何气态或液态硅源,是一种全新的固-液-固(SLS)生长机制.实验中使用了Ni,Au等金属作为催化剂,由Ar,H2等作为载流气体.系统压强为2 5×104Pa,生长温度为950-1000℃.生长出的硅纳米线表面光滑,呈纯非舳态,直径为10-40nm,长度可达数十微米.升温特性对硅纳米线SLS热生长起重要作用.研究了各项实验参数(包括气氛压强,加热温度及加热时间等)对硅纳米线生长的影响.