化学水浴沉积制备高质量Zn(O,S)薄膜及其性能研究

作     者：孙祺 赵颖 李博研 陈静允 赵子铭 钟大龙 Sun Qi;Zhao Ying;Li Boyan;Chen Jingyun;Zhao Ziming;Zhong Dalong

作者机构：北京低碳清洁能源研究院北京102211 北京市纳米结构薄膜太阳能电池工程技术研究中心北京102211 

出 版 物：《太阳能学报》 (Acta Energiae Solaris Sinica)

年 卷 期：2024年第45卷第4期

页      面：482-488页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 081701[工学-化学工程] 

基　　金：国家重点研发计划(2018YFB1500200) 

主　　题：薄膜太阳电池 缓冲层 络合 CIGS 柠檬酸三钠 Zn(O,S) 化学水浴沉积 

摘      要：为获得铜铟镓硒薄膜太阳电池中高质量Zn(O,S)无镉缓冲层薄膜,该研究阐述了柠檬酸三钠作为络合剂制备Zn(O,S)薄膜的成膜机理,系统性研究了该体系下各反应参数对薄膜化学水浴沉积的影响。研究表明,柠檬酸三钠的浓度值显著影响反应类型,异质反应更有利于生成高质量薄膜。同时,柠檬酸三钠与金属离子浓度的比值直接影响成膜质量和成膜速率,适合的pH溶液环境有助于提高Zn(O,S)薄膜沉积的质量。此外,通过工艺参数的优化,获得了电学性能接近传统CdS/CIGS太阳电池的Zn(O,S)/CIGS电池器件。