α-Fe_(2)O_(3)纳米棒的水热合成与阻变开关特性研究

作     者：徐佳敏 余志强 韩旭 陈诚 曲信儒 黄庆南 XU Jiamin;YU Zhiqiang;HAN Xu;CHEN Cheng;QU Xinru;HUANG Qingnan

作者机构：广西科技大学自动化学院广西柳州545616 广西科技大学电子工程学院广西柳州545616 华中科技大学光学与电子信息学院湖北武汉430074 武汉光电国家研究中心(华中科技大学)湖北武汉430074 

出 版 物：《广西科技大学学报》 (Journal of Guangxi University of Science and Technology)

年 卷 期：2024年第35卷第2期

页      面：128-135页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金项目(61805053) 广西科技基地和人才专项项目(AD19110038) 广西科技大学博士基金项目(19Z07) 广西研究生教育创新计划项目(YCSW2021135)资助 

主　　题：α-Fe_(2)O_(3)纳米棒 非易失性 氧空位 导电细丝 

摘      要：采用水热法合成了沿[110]方向具有优先生长取向的α-Fe_(2)O_(3)纳米棒,设计了具有非易失性阻变开关性能的W/α-Fe2O_(3)/FTO阻变存储器。对W/α-Fe_(2)O_(3/)FTO器件的阻变开关特性进行分析发现,W/α-Fe_(2)O_(3)/FTO阻变存储器的电阻比(RHRS/RLRS)在一个数量级以上,可保持100 s以上而无明显下降。此外,器件的载流子运输特性分别由LRS下的欧姆传导机制和HRS下的陷阱控制的空间电荷限制电流传导机制决定。由氧空位的迁移引起的纳米导电细丝的部分形成与断裂可以解释W/α-Fe_(2)O_(3)/FTO阻变存储器的非易失性阻变开关行为。因此,基于α-Fe_(2)O_(3)纳米棒的阻变存储器件可能是下一代非易失性存储应用的潜在候选器件。