等离子体源离子植入中的关键问题
出 版 物：《国外核聚变与等离子体应用》
年 卷 期：1999年第3期
页 面：72-80页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 080503[工学-材料加工工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0802[工学-机械工程] 080201[工学-机械制造及其自动化]
摘 要：等离子体源离子植入（ＰＳＩＩ）是一项用于材料表面改性的可按比例增大的非视线方法，本文中，我们研究了在ＰＳＩＩ大规模商用应解决的三个重要问题，它们是：（１）植入保形性；（２）离子源和（３）级电子发射，为了确保复杂形状物体上的均匀的植入剂量，离子鞘层厚度必须足够小，这个标准对离子源和脉冲电源提出了要求，至今，另一个局限是除了Ｂ，Ｃ，Ｎ和Ｏ外其他类型离子的可用性。
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