C频段常温HEMT-FET低噪声放大器
作者机构：电子部第54研究所
出 版 物：《无线电工程》 (Radio Engineering)
年 卷 期：1997年第27卷第4期
页 面：1-4页
学科分类：080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：介绍C频段常温HEMT-FET低噪声放大器研制过程中的元件选择、电路设计、关键技术及研制结果。
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