四价金属元素锆(Zr)对氧化铁薄膜气敏特性的影响
Effects of Quadrivalent Metal Zircon(Zr)-doping on the Gas-Sensing Properties ofα-Fe_(2)O_(3)Thin Films出 版 物：《传感器技术》 (Journal of Transducer Technology)
年 卷 期：1996年第15卷第2期
页 面：15-18页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 081704[工学-应用化学] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学]
主 题：α-Fe_(2)O_(3)薄膜 掺锆 气敏特性
摘 要：对用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）工艺制备的纯α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜和掺锆（Ｚｒ）α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜的气敏特性进行了研究。实验表明掺Ｚｒ是改善α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜材料气敏特性的一种有效途径。
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