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IGBT结温与饱和压降耦合机理研究

Study on coupling mechanism of IGBT junction temperature and saturation voltage drop

作     者:厉孟 王俊炎 杜会卿 梁帅 Li Meng;Wang Junyan;Du Huiqing;Liang Shuai

作者机构:海装驻北京地区第四军事代表室北京100094 海装驻武汉地区第三军事代表室武汉430070 中国船舶集团有限公司系统工程研究院北京100094 

出 版 物:《船电技术》 (Marine Electric & Electronic Engineering)

年 卷 期:2024年第44卷第3期

页      面:23-26页

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

主  题:IGBT 饱和压降 结温 特性测试 

摘      要:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)结温是影响变流器系统寿命、评估其可靠性的重要参数,而集-射极饱和压降是实现结温在线监测的关键热敏电参数。为深入研究IGBT结温与集-射极饱和压降间的耦合关系,本文从物理结构层面构建了IGBT饱和压降温度特性模型,分析了不同电流面密度下饱和压降与结温的关系机理,通过搭建IGBT静态特性测试平台,进一步探究了饱和压降与结温之间存在近似线性关系,进而基于动态特性测试平台,验证了理论分析的正确性。实验结果表明,在一定集电极电流条件下,IGBT饱和压降与结温呈现近似线性关系。在此基础上,对IGBT结温在线监测方法提出了建议。

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