3C-SiC材料p型掺杂的第一性原理研究
A first principle study on p-type doped 3C-SiC作者机构：北京化工大学理学院北京100029 中国科学院光电研究院北京100190
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2010年第59卷第8期
页 面：5652-5660页
核心收录：
学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学]
基 金：国家自然科学基金重点项目(批准号:No.20736002)资助的课题~~
摘 要：采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势法,研究了SiC材料p型掺杂的晶体结构和电子结构性质,得到了优化后体系的结构参数,掺杂形成能,能带结构和电子态密度,计算得到掺杂B,Al,Ga在不同浓度下的禁带宽度.结果表明:随着掺杂B原子浓度的增大,禁带宽度随之减小;而随着掺杂Al,Ga原子浓度的增大,禁带宽度随之增大;在相同浓度下,掺杂Ga的禁带宽度大于掺杂Al,掺Al禁带宽度大于掺B.
维普期刊数据库
同方期刊数据库