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高纯溅射靶材回收研究现状

Research status of recovery of high-purity sputtering targets

作     者:仝连海 钟伟攀 李凤连 TONG Lianhai;ZHONG Weipan;LI Fenglian

作者机构:上海同创普润新材料有限公司上海201306 同创普润(上海)机电高科技有限公司上海201400 上海江丰电子材料有限公司上海201306 

出 版 物:《中国有色冶金》 (China Nonferrous Metallurgy)

年 卷 期:2024年第53卷第1期

页      面:61-67页

学科分类:083002[工学-环境工程] 0830[工学-环境科学与工程(可授工学、理学、农学学位)] 080603[工学-有色金属冶金] 08[工学] 0806[工学-冶金工程] 

主  题:溅射靶材 残靶回收 贵金属 氧化铟锡 高纯金属 芯片 显示器 集成电路 

摘      要:高纯溅射靶材在晶圆代工企业和液晶面板企业作为耗材使用。高纯溅射靶材利用率低,一般平面靶利用率低于30%,旋转靶难超过70%,回收溅射后的残靶具有非常高的经济价值和环保意义。本文综述了贵金属、ITO、钛、钽、铝、铜等高纯靶材的回收研究现状,总结了靶材回收过程中面临的共同问题。目前在高纯靶材的残靶回收中还存在金属回收率低、回收的纯度不高、工艺流程长等问题需要攻克和改善,作者展望了开发较短的流程、环境友好的工艺、探索高价值的用途,是未来高纯残靶回收技术改进和发展的方向。

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