GaAs解理加工的划片过程仿真分析及工艺研究
作者机构：上海理工大学机械工程学院 香港理工大学工业及系统工程系超精密加工技术国家重点实验室
出 版 物：《中国机械工程》 (China Mechanical Engineering)
年 卷 期：2024年
核心收录：
学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程]
主 题：半导体激光器 谐振腔面 解理加工 砷化镓 有限元分析
摘 要：为有效提高GaAs基半导体激光芯片巴条谐振腔面解理加工质量，开展了一种新型点划方式的划片仿真分析及工艺实验。建立GaAs划片过程的有限元仿真模型，根据不同划片工艺，研究划片载荷及应力分布情况；开展解理工艺验证实验，分析解理面形貌特征，对划片工艺进行验证。研究结果表面，优化后的工艺方法，即由内向外点划片，可有效降低划片过程材料表面损伤程度，减小脆性断裂现象，实验结果与仿真结果具有较高的一致性，获得了无损伤、光滑的解理面。研究对提高GaAs基半导体激光芯片巴条谐振腔面质量具有指导意义，并为解理加工过程的优化提供了参考。
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