均匀磁场下二维拓扑绝缘体边缘态的多重Andreev反射研究
Research on multiple Andreev reflections of edge states of atwo-dimensional topological insulator under uniform magnetic field作者机构：天津大学天津300350
出 版 物：《现代电子技术》 (Modern Electronics Technique)
年 卷 期：2024年第47卷第4期
页 面：17-22页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 081201[工学-计算机系统结构] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）]
主 题：拓扑绝缘体 多重Andreev反射 超导隧道结 约瑟夫森结 亚谐隙结构 马约拉纳束缚态 S波超导体 准粒子波函数
摘 要：研究均匀磁场下的二维拓扑绝缘体在超导隧道结中的电压偏置约瑟夫森结的输运性质,电流-电压特性显示了马约拉纳束缚态的存在。在亚谐隙结构中,也可以观察到磁场对超导能隙的影响。研究结果表明,在S波超导体/正常金属/S波超导结的隧道谱中存在亚谐隙结构。透明度只影响超导结的零偏压电导值的大小,而不影响亚谐隙结构的位置。但是在磁场作用下,亚谐隙结构会发生变化,不再固定出现在特定位置。这一结果对应于拓扑螺旋态中超导和铁磁序之间的相互作用。
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