Ⅲ族氮化物半导体及其合金的原子层沉积和应用

作     者：仇鹏 刘恒 朱晓丽 田丰 杜梦超 邱洪宇 陈冠良 胡玉玉 孔德林 杨晋 卫会云 彭铭曾 郑新和 Qiu Peng;Liu Heng;Zhu Xiao-Li;Tian Feng;Du Meng-Chao;Qiu Hong-Yu;Chen Guan-Liang;Hu Yu-Yu;Kong De-Lin;Yang Jin;Wei Hui-Yun;Peng Ming-Zeng;Zheng Xin-He

作者机构：北京科技大学数理学院磁光电复合材料与界面科学北京市重点实验室北京100083 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2024年第73卷第3期

页      面：50-71页

核心收录：

学科分类：080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家重点研发计划(批准号:2018YFA0703700) 国家自然科学基金(批准号:52002021) 中央高校基本科研业务费(批准号:FRF-IDRY-GD22-001)资助的课题 

主　　题：原子层沉积 氮化物半导体 薄膜生长 

摘      要：Ⅲ族氮化物半导体由于包含了宽的直接禁带宽度、高击穿场强、高电子饱和速度、高电子迁移率等优异的性质,自从发展以来便成为半导体领域中的一个热点.并且由于其禁带宽度可以从近紫外涵盖到红外区域,因此在传统半导体所难以实现的短波长光电子器件领域,也具有广阔的应用前景.原子层沉积由于其特殊的沉积机制可以在较低的温度下实现Ⅲ族氮化物半导体的高质量制备,通过调整原子层沉积的循环比也可以方便地调整合金材料中的成分.发展至今,原子层沉积已经成为制备Ⅲ族氮化物及其合金材料的一种重要方式.因此,本文着重介绍了近期使用原子层沉积进行Ⅲ族氮化物半导体及其合金的沉积及应用,包括使用不同前驱体、不同方式、不同类型原子层沉积,在不同温度、不同衬底上进行氮化物半导体及其合金的沉积.随后讨论了原子层沉积制备的Ⅲ族氮化物材料在不同器件中的应用.最后总结了原子层沉积在制备Ⅲ族氮化物半导体中的前景和挑战.