1.3GHz 0.25μm CMOS低噪声放大器的设计

作     者：马红波 冯全源 MA Hong-bo;FENG Quan-yuan

作者机构：西南交通大学微电子研究所四川成都610031 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：2007年第24卷第5期

页      面：13-15,18页

学科分类：080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家自然科学基金项目(60371017) 

主　　题：共源共栅 低噪声放大器 噪声系数 阻抗匹配 

摘      要：设计了一种基于0.25μmCMOS工艺的共源共栅型1.3GHz的LNA。从噪声优化、增益及阻抗匹配角度详细分析了电路的设计方法,讨论了寄生电容Cgd、C_match_in及共栅管沟道宽度W2对LNA性能的影响。采用ADS软件,对W2进行扫描和对LNAS参量和噪声系数进行仿真测试结果表明:该LNA在1.3GHz的工作频率下,具有良好的性能指标,噪声系数fN为1.42dB,增益S21为13.687dB,匹配参数S11为-14.769dB,S22为-14.530dB,反向隔离度S12为-52.955dB。