激光等离子体淀积硅薄膜过程动力学研究
Study on Kinetic Process of Silicon Film Deposited by Laser Plasma作者机构：河北大学物理系
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：1989年第10卷第4期
页 面：280-285页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家自然科学基金
摘 要：采用强TEA CO_2脉冲激光辐照SiH_4/H_2系统,对SiH_4激光等离子体淀积硅膜进行了研究,测量了膜淀积及膜性能随淀积条件的变化关系.同时采用光学发射光谱、光声激光偏转方法对其基本的微观和宏观动力学过程进行了研究,在此基础上初步建立了膜淀积的物理模型,计算了膜淀积速率、膜面积等,结果与实验符合得较好.
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