金薄膜辅助玻璃与砷化镓阳极键合

作     者：张蕾 阴旭 刘翠荣 刘淑文 王强 许兆麒 Zhang Lei;Yin Xu;Liu Cuirong;Liu Shuwen;Wang Qiang;Xu Zhaoqi

作者机构：太原科技大学材料科学与工程学院太原030024 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2024年第61卷第1期

页      面：153-159页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金项目(52375365) 

主　　题：阳极键合 BF33玻璃 砷化镓(GaAs) 金薄膜 键合界面 

摘      要：采用磁控溅射技术在砷化镓(GaAs)表面沉积一层厚度为1μm的金薄膜,将其作为中间层成功实现了Borofloat(BF33)玻璃与GaAs的连接。阳极键合实验结果表明键合电流在短时间内达到峰值,之后迅速降低并且稳定在一个很小的数值范围内,且键合电流峰值随着键合温度与键合电压的升高而增大。通过扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)对玻璃-GaAs键合界面进行微观形貌观察。结果表明键合界面良好,在400℃、700 V的条件下,玻璃-GaAs键合强度可达到1.53 J/m^(2),且键合强度随着键合温度与键合电压的升高而增大。