半绝缘GaAs光电导开关的超线性时间响应分析
ANALYSIS OF SEMI-INSULATING GaAs PHOTOCONDUCTIVE SWITCH ULTRA-LINEAR TIME RESPONSE作者机构：西安理工大学自动化学院西安710048
出 版 物：《光子学报》 (Acta Photonica Sinica)
年 卷 期：2002年第31卷第9期
页 面：1086-1089页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0803[工学-光学工程]
基 金：国家自然科学基金 No.5 0 0 770 1 7 陕西省教育厅产业化培育项目 (No.0 1JK2 5 ) 瞬态光学技术国家重点实验室开放基金 (No .YAK2 0 0 0 2 )资助项目
主 题：光电导开关 半绝缘GaAs器件 超快线性时间响应 砷化镓
摘 要：报道了用 1 0 64nm激光脉冲触发电极间隙为 3mm的横向半绝缘GaAs光导开关的实验结果 对半绝缘GaAs光电导开关的超线性时间响应特性做了分析 ,表明半绝缘GaAs材料EL2能级对电子和空穴的俘获截面有较大的差异 。
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